当前位置: 首页 >> 最新论文 >> 电子科学与技术
ELF-MF对AD小鼠Aβ42沉积及SWM相关神经振荡的影响
DOI:10.11999/JEIT241106 CSTR:
文献基本信息

中文标题:ELF-MF对AD小鼠Aβ42沉积及SWM相关神经振荡的影响
英文标题:The effects of ELF-MF on Aβ deposition in AD mice and SWM-related neural oscillations
来源期刊:电子与信息学报
基金项目:国家自然科学基金(No.52277230)
作  者:耿读艳1, 3 刘澳格2 闫禹新1 郑卫然1
作者单位:1. 河北工业大学电气工程学院 天津 300130
2. 河北工业大学生命科学与健康工程学院 天津 300130
3. 省部共建电工装备可靠性与智能化国家重点实验室(河北工业大学) 天津 300130
摘  要:极低频磁场(ELF-MF)已被证实可以对多种常见疾病产生积极影响,但其对阿尔茨海默病(AD)的影响仍然知之甚少。该文将免疫荧光检测、行为学和电生理学相结合,通过计算完成对象位置任务(OLT)的行为认知指数(CI),探究ELF-MF暴露对小鼠空间工作记忆(SWM)的影响;应用时频分布和相位-幅值耦合分析方法,探究小鼠进行OLT过程中海马CA1区局部场电位信号(LFPs)的theta频段和gamma频段神经振荡的变化规律;进一步通过免疫荧光技术定量分析了小鼠海马区域Aβ42的沉积情况,探究ELF-MF暴露对AD病理标志物的影响。此外,还分析了CI与海马CA1区theta频段和gamma频段神经振荡的时频分布及相位-幅值耦合之间的相关性,旨在探究ELF-MF对认知功能和神经振荡模式的调控机制。结果表明,ELF-MF可以减少AD小鼠海马区Aβ42含量,增强AD模型小鼠的SWM能力,且这种增强与小鼠SWM任务期间海马CA1区theta和gamma频段神经振荡的时频能量以及theta-gamma相位-幅值耦合增强有关。
相关论文
相关专家