文献基本信息
英文标题:Inverse Design of a Silicon-Based Compact Polarization Splitter-Rotator
基金项目:国家重点研发计划项目(2022YFB2903201),陕西省创新能力支撑计划项目(2022PT15)
作 者:惠战强1, 2
张兴龙1, 2
韩冬冬1, 2
李田甜1, 2
巩稼民1, 2
作者单位:1. 西安邮电大学电子工程学院 西安 710121
2. 陕西省微波光子与下一代宽带通信技术国际科技合作基地 西安 710121
摘 要:片上偏振分束旋转器(Polarization Splitter-Rotator, PSR)作为调控光波偏振态的核心集成光子器件之一,其微型化设计是实现高密度光子集成电路(Photonic Integrated Circuit, PIC)的关键。本文基于绝缘体上硅平台(Silicon-on-Insulator, SOI),采用逆向法设计了一种超紧凑偏振分束旋转器,通过将动量优化算法(Momentum-based Optimization)与伴随法(Adjoint Method)相结合,提高了设计效率。并且,进一步通过空气孔融合将孔半径控制在50 nm至250 nm之间,降低了器件的制造难度。数值分析结果表明:该器件在1520-1575 nm波段内实现了低插入损耗(TM0<1 dB,TE0<0.68 dB),低串扰(TM0<-23 dB,TE0<–25.2 dB)和高偏振消光比(TM0>17 dB,TE0>28.5 dB)。器件尺寸仅为2.5 μm×5 μm。工艺容差分析表明,在蚀刻深度偏移±9 nm,蚀刻半径偏移±5 nm时,在1520-1540nm带宽范围内,性能没有明显劣化,具有良好的制造鲁棒性。